Спектрометрия в субмикронных технологии БИС

 

Спектрометр

Содержание атомов основных элементов и примесей в полупроводнике, а также характер их распределения в объеме определяют фундаментальные электрофизические параметры структур больших интегральных схем.
Контроль состава кристаллической структуры дает первичную информацию для дальнейших исследований кристаллической и электронной структуры, характера химической связи, степени легирования, дефектности.
Особенно большую роль играет контроль состава при решении вопроса получения однородно легированных слоев кристаллов с заданным концентрационным профилем в активных зонах субмикронных структур.
Аналитической стороной таких исследований становится спектрометрия. Спектрометр является самым важным инструментом этих исследований.
Традиционными объектами изучения являются поли-и монокристаллы, которые исследуются или в виде объемных образцов, либо в виде специально подготовленных поверхностных структур. Здесь внимание сосредоточивается на изучении поверхностных слоев кристаллов, а также специально синтезированных многослойных тестовых структур, например, полупроводниковых епитансийних гетероструктур, структур МОН, КМОП, слоистых структур.
Современное развитие микроэлектроники, особенно ее переход в субмикронных диапазон и нанотехнологии требуют дальнейшего совершенствования методов контроля повышения их локальности, точности, экспрессности с обработкой информации через
компьютерные системы.

В следующих статьях остановимся на вопросе контроля состава поверхностных слоев и локальных и объемных областей при формировании субмикронных структурах БИС.

 
 
 

0 - Количество комментариев

Оставьте комментарий.

 
 

Оставьте комментарий